Verantwortlich: Prof. Stefan Tappertzhofen, M.Sc. Timon Georg Runte, M.Sc. Yannik Saßor, M.Sc. Niklas Kolks
In diesem Kurs werden vermittelt:
1. Ladungsträger, Bändermodell, Zustandsdichte, Ferminiveau
2. Ströme im Halbleiter (Diffusion- und Driftströme), Generation und Rekombination, Kontinuitätsgleichung
3. Dioden und Bipolartransistor, Early-Effekt, Temperaturverhalten, Ebers-Moll-Modell
4. MOS-Kondensator, Feldeffekttransistor, Gradual Channel Approximation, Kurzkanaleffekte
5. Überblick über die CMOS- und Siliziumtechnologie und Aufbau- und Verbindungstechnik
In diesem Kurs werden vermittelt:
1. Ladungsträger, Bändermodell, Zustandsdichte, Ferminiveau
2. Ströme im Halbleiter (Diffusion- und Driftströme), Generation und Rekombination, Kontinuitätsgleichung
3. Dioden und Bipolartransistor, Early-Effekt, Temperaturverhalten, Ebers-Moll-Modell
4. MOS-Kondensator, Feldeffekttransistor, Gradual Channel Approximation, Kurzkanaleffekte
5. Überblick über die CMOS- und Siliziumtechnologie und Aufbau- und Verbindungstechnik
- Lehrende:r: Raphael Dominik Ahlmann
- Lehrende:r: Leon Becker
- Lehrende:r: Marion Brünninghaus-Willmes
- Lehrende:r: Leticia Çela
- Lehrende:r: Philipp Czyba
- Lehrende:r: Sanam Khadijeh Feizi
- Lehrende:r: Niklas Kolks
- Lehrende:r: André Kosak
- Lehrende:r: Timon Georg Runte
- Lehrende:r: Yannik Saßor
- Lehrende:r: Stefan Tappertzhofen