Verantwortlich: Prof. Stefan Tappertzhofen, M.Sc. Leon Becker, M. Sc. Sarah Beck, M. Sc. Yannik Saßor, M. Sc. Julian Liedtke
In diesem Kurs werden vermittelt:
1. Ladungsträger, Bändermodell, Zustandsdichte, Ferminiveau
2. Ströme im Halbleiter (Diffusion- und Driftströme), Generation und Rekombination, Kontinuitätsgleichung
3. Dioden und Bipolartransistor, Early-Effekt, Temperaturverhalten, Ebers-Moll-Modell
4. MOS-Kondensator, Feldeffekttransistor, Gradual Channel Approximation, Kurzkanaleffekte
5. Überblick über die CMOS- und Siliziumtechnologie
In diesem Kurs werden vermittelt:
1. Ladungsträger, Bändermodell, Zustandsdichte, Ferminiveau
2. Ströme im Halbleiter (Diffusion- und Driftströme), Generation und Rekombination, Kontinuitätsgleichung
3. Dioden und Bipolartransistor, Early-Effekt, Temperaturverhalten, Ebers-Moll-Modell
4. MOS-Kondensator, Feldeffekttransistor, Gradual Channel Approximation, Kurzkanaleffekte
5. Überblick über die CMOS- und Siliziumtechnologie
- Lehrende:r: Raphael Dominik Ahlmann
- Lehrende:r: Sarah Emily Beck
- Lehrende:r: Leon Becker
- Lehrende:r: Marion Brünninghaus-Willmes
- Lehrende:r: Philipp Czyba
- Lehrende:r: Niklas Falkenberg
- Lehrende:r: Sanam Khadijeh Feizi
- Lehrende:r: Carolin Horsthemke
- Lehrende:r: Lukas Kappel
- Lehrende:r: André Kosak
- Lehrende:r: Julian Liedtke
- Lehrende:r: Oliver John Moss
- Lehrende:r: Kai-Frederik Nessitt
- Lehrende:r: Yannik Saßor
- Lehrende:r: Daniel Staudt
- Lehrende:r: Stefan Tappertzhofen